本发明涉及金属箔技术领域，公开了一种金属箔，其包括导电层和承载层，导电层与承载层层叠设置；其中，导电层用于制作导电线路，在金属箔制备线路板时，通过第一蚀刻液将承载层与导电层分离，所述承载层靠近所述导电层一面的粗糙度Rz小于或等于2微米。...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；所述屏蔽层具有延伸入所述胶膜层内的导电刺穿结构；所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述载体层的靠近所述绝缘层的一面的粗糙度Rz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面为粗糙面，所述...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述绝缘层的靠近所述载体层的一面的粗糙度Rz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；其中，在粗糙度Rz的单位为微米及胶克重参数的单位为克每平方分米下，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度R...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；其中，在胶克重参数的单位为克每平方分米下，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr与所述胶膜层的胶克重...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述绝缘层的靠近所述载体层的一面的粗糙度Sz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述绝缘层的靠近所述载体层的一面的粗糙度Sku为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；所述胶膜层的膜面电阻与所述屏蔽层的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层的膜面电阻为2

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr大于0.1％，所述胶膜层的胶克重为0.01

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述载体层的靠近所述绝缘层的一面的粗糙度Sz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括依次层叠的载体层、绝缘层、屏蔽层、胶膜层及保护膜层；所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面的粗糙度Sz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层及屏蔽层；所述屏蔽层设于所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面的粗糙度Sku为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；其中，在胶克重参数的单位为克每平方分米下，所述绝...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；其中，在粗糙度Rz的单位为微米及胶克重参数的单位...

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层及屏蔽层；所述屏蔽层设于所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz为0.5

本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括载体层、绝缘层及屏蔽层；所述载体层设于所述绝缘层的一面上，所述屏蔽层设于所述绝缘层的远离所述载体层的一面上；所述载体层的靠近所述绝缘层的一面的粗糙度Sku为0.5

本发明公开了一种金属箔、覆铜层叠板、线路板、半导体、负极材料和电池。所述金属箔包括粗化处理面，所述粗化处理面具有若干个粗化粒子；在所述粗化处理面上，0%~60%的粗化粒子的最大垂直高度满足H＜1μm，10%~90%的粗化粒子的最大垂直高...

本发明公开了一种金属箔、覆铜层叠板、线路板、半导体、负极材料和电池。所述金属箔包括粗化处理面，所述粗化处理面具有若干个粗化粒子；在所述粗化处理面上，每一所述粗化粒子的最大外轮廓尺寸B满足0.5μm≤B≤35μm；其中，所述最大外轮廓尺寸...