生长嵌入式单晶金刚石结构的方法，其包括：将单晶金刚石置于非金刚石基底上，其中所述非金刚石基底大于单晶金刚石；使用遮蔽材料遮蔽单晶金刚石的顶部；并且使用化学气相沉积（CVD）生长室，围绕所述单晶金刚石生长多晶金刚石材料，从而使单晶金刚石与...

一种生产大单晶金刚石的方法，包括：(i)在金刚石生长室中将两个或更多个单晶金刚石衬底彼此相邻布置，其中每个单晶金刚石衬底包括至少两个具有不同晶体取向的相邻表面，(ii)使用金刚石生长工艺，在向上生长方向以及在横向生长方向上生长单晶金刚石...

一种利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺制备电子器件级单晶金刚石的方法，其包括：(a)选择具有预定取向的金刚石种子或基底，(b)从所述金刚石种子或基底清洁和/或蚀刻非金刚石相和其它引起的表面损伤，借此该步骤可进行一次或更多次，...

单晶金刚石，所述单晶金刚石具有在考虑了514.5nm激光的瑞利宽度后经校正的半峰全宽，并且显示：取决于所述金刚石的质量，存在或不存在带负电荷的硅空位缺陷；在270nm处的吸收系数下的一定浓度水平的中性取代氮[Ns

一种监视和控制操作的系统，包括：输入装置，该输入装置适于用户输入用户定义的参数，经由网络来与输入装置连接的中间件应用，该中间件应用经由通信装置来与目录数据库以及还有关系数据库管理系统通信，在中间件应用中作为从属程序以及在一个多个外部服务...

一种用于生产金刚石和执行实时原位分析的装置，包括：外壳；反应腔室，所述反应腔室在结构上连接到所述外壳，所述反应腔室包括适于容纳金刚石生长的封闭区域；辐射工具，所述辐射工具在所述外壳内安装在所述反应腔室上方，所述辐射工具适于发射微波到所述...

一种用于生长钻石的装置，该装置包括：一个或多个腔室，每个腔室与一个或多个其他腔室流体连接，每个腔室包括腔室内的一个或多个基底载置台组件以支承基底载置台，该基底载置台具有布置在其上的多个钻石晶种。

本申请详细公开了微波等离子化学气相沉积工艺，所述工艺使用氮和乙硼烷，同时结合甲烷和氢气，以生长白色金刚石。本发明包括在金刚石生长过程中使用氮以避免在CVD金刚石样品中产生夹杂物和杂质以及使用乙硼烷来提高色度。本申请还发现将这样生长的金刚...