本公开的实施方案提供了一种由化学式1或2表示的钒前体化合物。(在化学式1中，R1、R2、R3和R4各自独立地选自氢、具有1至6个碳原子的直链烷基和具有3至4个碳原子的支链烷基，且在化学式2中，n为0至4的整数，含钒元素的环为杂环烷基或杂...

根据本发明的实施方案的用于形成含钼薄膜的化合物是由化学式1表示的化合物，其中，化学式1中，R1和R2各自独立地选自氢、碳原子数为1至6的直链烷基和碳原子数为3至6的支链烷基，R3选自碳原子数为1至6的直链烷基、碳原子数为3至6的支链烷基...

根据本发明的实施方案，一种第5族金属前体化合物由以下化学式1表示：[化学式1]由此，根据本发明的实施方案的该第5族金属前体化合物的优点在于，其热稳定性优越，在常温下以液态存在，挥发性强，因此有利于应用于薄膜形成工艺。此外，当使用根据本发...

根据本公开一种实施方案，用于形成含硅薄膜的前体是由以下化学式1或2表示的化合物，其中在化学式1和2中，A是具有4至7个碳原子的环烷基，R<subgt;1</subgt;、R<subgt;4</subgt;和R&l...

提供了一种根据本公开的示例性实施例的用于区域选择性形成薄膜的方法，包括：将包括生长区域和非生长区域的衬底供应到腔室中并使该衬底稳定的衬底准备步骤；将金属前体化合物供应到腔室中并使金属前体化合物吸附到衬底的前体供应步骤；吹扫腔室内部的吹扫...

根据本公开的示例，有机金属化合物由下式1表示，其在沉积含第4族金属的薄膜时用作前体，以提供高质量的含第4族金属的薄膜。[式1]在式1中，M为Zr或Hf，R1选自具有2至6个碳原子的直链烷基和具有3至6个碳原子的支链烷基，R2为具有1至3...

根据本发明实施方案，铌前体化合物由以下化学式1或化学式2表示：因此，根据本发明实施方案的铌前体化合物具有优异的热稳定性，在室温下以液态存在，并且具有高挥发性，由此具有有利于应用于薄膜形成工艺的优点。此外，使用根据本发明实施方案的铌前体化...

本发明涉及有机金属前体化合物。本说明书提供了一种有机第4族金属前体化合物和用于使用该有机第4族金属前体化合物形成薄膜的方法。法。法。

根据本公开的实施方案的第5族金属化合物由以下&lt;化学式1&gt;和&lt;化学式2&gt;中的任一个表示：在&lt;化学式1&gt;和&lt;化学式2&gt;中，M是选...