东京毅力科创FSI公司专利技术

东京毅力科创FSI公司共有11项专利

  • 本文公开了与用于在处理期间在工艺室内移动半导体衬底的处理系统有关的系统和方法。处理系统围绕枢转点以弧形运动在两个位置之间来回移动衬底,同时围绕衬底自身的中心点旋转衬底。
  • 一种从衬底选择性地移除氮化硅的方法,包括:提供其表面上具有氮化硅的衬底;以及在大于约150℃的温度下,将磷酸和硫酸作为混合酸液体流散布至衬底的表面上。在该方法中,在混合酸液体流的液体溶液通过喷嘴时或在混合酸液体流的液体溶液通过喷嘴之后,...
  • 用于半导体制造的清洁系统和方法使用与紧凑的驱动系统结合以使卡盘旋转的可旋转和可平移卡盘组件。该系统使用驱动环形齿轮的偏移驱动齿轮。这减少其摩擦或润滑可能产生过度污染物的部件。本发明的低摩擦卡盘功能在其中工件在处理期间被支承在旋转支承件上...
  • 用于半导体制造的清洁系统和方法使用可旋转且可选地可平移的卡盘组件,该卡盘组件包括磁悬浮和旋转功能以引起卡盘旋转。旋转的卡盘部件在悬浮和旋转时没有物理接触其他卡盘部件。这消除了其摩擦或润滑剂可能生成污染的相应部件。本发明的低摩擦卡盘功能在...
  • 检测从旋转卡盘丢失的晶片
    本公开涉及用于检测何时微电子衬底不再被适当地固定或者从旋转卡盘丢失的系统和方法。微电子衬底可以固定至旋转卡盘,在处理室中的处理期间,当将衬底暴露于化学物质时,旋转卡盘可以使衬底旋转。旋转卡盘可以包括用于检测固定微电子衬底的夹持机构的位置...
  • 描述了一种用于从微电子工件剥离材料的方法。该方法包括:接收具有露出由硅和有机材料构成的层的表面的工件;以及将工件放置在湿法清洗室中。在湿法清洗室中,通过将工件的表面暴露于含硫酸组合物的第一剥离剂,然后任选地将工件的表面暴露于含稀氢氟酸(...
  • 本发明提供了减少在用酸化学物质处理的晶片表面上的污染物的处理策略。该策略适用于多种类型的晶片,包括那些包含敏感微电子特征或其前体的晶片。这些策略涉及快速有效地从可能引起污染的工件的前侧以及其他处理室表面去除残留酸和酸的副产物的中和以及冲...
  • 提供了一种用于对用于在处理室中处理晶片的蚀刻溶液进行独立的温度和水合控制的方法和处理系统。所述方法包括:使蚀刻溶液在循环回路中循环;通过从蚀刻溶液中除去水或添加水来使蚀刻溶液保持在水合设定点;使蚀刻溶液保持在低于蚀刻溶液在循环回路中的沸...
  • 一种处理衬底的方法,该方法包括:利用处理方案从衬底中去除材料以提供经处理的衬底,接着进行漂洗步骤。在漂洗步骤中,引入包括漂洗流体的至少一个流,并且使水蒸气与该漂洗流体碰撞并使该漂洗流体雾化。使经雾化的漂洗流体以漂洗方式接触该经处理的衬底。
  • 用于提供加热的蚀刻溶液的处理系统和方法
    本发明的实施方案提供了一种用于用加热的蚀刻溶液处理衬底的处理系统和方法。在一个实施例中,提供了对酸性蚀刻溶液的温度和水含量的严格控制。根据一个实施方案,所述方法包括:在第一循环回路中形成加热的蚀刻溶液;在处理室中提供加热的蚀刻溶液以处理...
  • 一种从衬底选择性地移除氮化硅的方法,包括:提供其表面上具有氮化硅的衬底;以及在大于约150℃的温度下,将磷酸和硫酸作为混合酸液体流散布至衬底的表面上。在该方法中,在混合酸液体流的液体溶液通过喷嘴时或在混合酸液体流的液体溶液通过喷嘴之后,...
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