本发明涉及异质结硅电池技术领域，尤其是涉及一种异质结硅电池及其制备方法。包括：单晶硅片其正面和背面均设有硅薄膜层；第一透明导电膜和第二透明导电膜安装于硅薄膜层上；金属栅线分别安装于远离硅薄膜层的第一透明导电膜和第二透明导电膜表面；二氧化...