本发明提供了一种基于历史数据的单粒子翻转率的确定方法，所述方法通过下式确定器件的单粒子翻转率：Rate=C×FOM，其中，Rate为器件的单粒子翻转率；C为经验系数；FOM为品质因数；σHL为重离子引起的器件饱和截面；L0.25为器件的...

本发明公开了一种评估行波管寿命的方法及其装置，涉及器件可靠性测试技术领域，所述方法包括以下步骤：A：对信号源施加电偏置，当阴极发射电流达到稳定时，监测并记录试验数据，包括敏感参数测试值和测试时间；B：剔除所述试验数据中的异常值；C：对剔...

本发明提供一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法。包括以下步骤：第一步准备待测验器件；第二步进行质子诱发的单粒子翻转检测SEU，获得器件位的翻转情况；第三步进行质子诱发的单粒子闩锁检测SEL，获得器件的电流和功耗；第四步根据所述翻转数据...

本发明公开了一种电子文档的分类关联网络化共享方法，涉及计算机网络技术领域，包括：S1：上传电子文档时，标注所述电子文档的文档信息、技术观点及与所述技术观点相关的课题；S2：生成电子文档、技术观点及课题之间的关联关系表，并将所述关系表存储...

本发明公开了一种MOS器件寿命预计方法，包括步骤：分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；选择应力施加方式，...

本发明涉及一种延长总剂量试验中辐照与测试间隔时间的方法，包括用-60℃的干冰冷藏试验样品。本发明方法能使辐照-测试时间间隔由原1h延长至72h；使两次辐照时间间隔由原2h延长至144小时；能增强现行辐照试验方法标准的可操作性，可提高辐照...

本发明公开了一种宇航用CPU单粒子效应试验方法，包括对单粒子现象较为敏感的区域：CPU中寄存器、内部Cache和运算逻辑单元进行单粒子效应测试，对寄存器的单粒子效应测试包括半静态测试和半动态测试。本发明通过系统地监测微处理器内部各模块的...

本发明公开了一种存储器稳态总剂量效应试验夹具包括：测试板、载板和计算机，其中测试板用于监测被测存储器的电流及其数据值的变化，并将信息传输给计算机；载板用于放置被测存储器，提供接口使被测存储器和测试板通信；计算机用于处理并显示测试板传来的...

本实用新型涉及一种质谱仪的取样装置的取样夹具，该夹具包括通过凹槽（４）固定在取样装置上的公共部分（１），以及通过连接块（３’）插入公共部分（１）的连接槽（３）从而与公共部分（１）相连的专用部分（２），该专用部分适用于如双列直插封装、ＴＯ...

本实用新型涉及一种航天工程用产品和材料的测试热真空环境的实验室装置。包括热真空箱以及分别与热真空箱相连接的加热控制装置和真空产生装置，其中，所述热真空箱内有一个或一个以上样品夹，所述样品夹带有样品夹加热装置，所述样品夹加热装置与加热控制...

本发明公开了一种卫星用器件单粒子效应指标的评估方法，所述评估方法包括以下步骤：试验或仿真获得待评估器件单粒子翻转试验值；计算任务要求的待评估器件单粒子翻转指标要求预估值；根据所述器件单粒子翻转指标的试验预期值和单粒子翻转指标要求预估值，...

本发明公开了一种元器件长寿命评测方法。该方法包括步骤：对元器件特性、使用平台及应用环境进行分析；初步确定试验的应力水平及敏感参数；确定应力因子的施加顺序，响应敏感参数的分析方法，并确定试验设备；进行正式试验，每隔一定的时间记录元器件加速...

本发明公开了一种集成电路综合环境试验方法，包括：Ｓ１，根据集成电路的产品基本信息和使用的环境信息，获取试验最高温度ＴＴＨ、试验最低温度ＴＴＬ、试验最高温度变化率ΔＴＥ、试验功率密度谱、试验湿度和试验电应力；Ｓ２，根据上述试验数据，分别在...

本发明涉及一种卫星用器件抗辐射能力的评估方法，该方法包括步骤：对待测器件进行重离子单粒子效应试验，获取试验数据；利用Ｗｅｉｂｕｌｌ函数拟合试验数据，得出尺度参数以及形状参数，推演质子单粒子翻转截面表达式；根据质子单粒子翻转截面表达式以及...

本发明公开了一种检测产品可靠性的试验方法，所述方法包括以下步骤：对待检测产品依次进行温度步进应力试验、快速温变应力试验、振动步进应力试验、温度和振动综合试验，并在上述各试验过程中以及各试验结束后，对待测产品进行功能检测。本发明可迅速找出...

本实用新型涉及一种质谱仪的气体取样装置，该装置包括：设置于装置中心的内腔；设置于内腔顶部的平台，与内腔相通的穿刺通孔；顶部平台上设有固定取样样品的夹具；装置底部的第一阀门，其上装有穿刺针；设置于装置一侧的第二阀门，与其同侧的接口管道通过...

本发明公开了一种获取单粒子现象截面与重离子线性能量转移关系的方法，包括：将被测器件放置在试验位置，选择能量、注量率、注量、均匀性合适的离子，开启离子束的挡板，对所述被测器件进行重离子辐射，直到预期的单粒子现象发生或达到最大的预定注量；记...

本发明涉及一种集成电路热真空试验方法，该方法通过试验要求或者受试集成电路元器件标称的可靠性指标，确定试验严酷度，从而确定试验温变速率、极限温度、压变速率以及试验要求压力值后，将受试集成电路元器件放入热真空试验箱内；调试、测试试验箱密封以...

本发明公开了一种锡晶须生长的快速测试方法，包括以下步骤：设置待测样品的外界应力；对所述待测样品进行初检，确定所述待测样品中锡晶须的初始长度和初始密度；在设置的外界应力下，所述待测样品进行锡晶须生长；测量所述待测样品的锡晶须的长度和密度。...