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本发明涉及一种高纯度、高密度WS2层片状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在表面平整、光洁的硅片、砷化镓片、蓝宝石片、碳化硅单晶片或者氧化铝单晶片上，一步...
该专利属于中国地质大学（北京）所有，仅供学习研究参考，未经过中国地质大学（北京）授权不得商用。

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