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一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID?GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID?GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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