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一种半导体结构包括：硅衬底；一个以上III族/V族(III-V族)化合物半导体块层，位于硅衬底顶上；以及每个III-V族化合物块层被中间层隔离。本发明还涉及硅衬底上氮化镓生长方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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