下载在硅衬底上生长III-氮化物的新方法的技术资料

文档序号:8684194

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本发明涉及一种电路结构,包括衬底以及位于衬底上方的图案化介电层。该图案化介电层包括多个通孔;以及多个III族V族(III-V)化合物半导体层。该III-V族化合物半导体层包括通孔中的第一层、位于该第一层上方的第二层和介电层、以及位于该第二层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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