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本发明公开一种应变硅通道半导体结构及其制作方法，其方法包含：提供一基底；在该基底上形成至少一栅极结构；进行一蚀刻制作工艺以于该栅极结构侧边的该基底中形成至少一凹槽，该凹槽的侧壁向该栅极结构方向凹入且与水平面呈一夹角；以及进行一预烤制作工艺改...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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