温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种在ＩＧＢＴ元件区与二极管元件区利用具有共同杂质浓度的体区的反向导通半导体元件中，能够调节二极管元件区的空穴或者电子的注入效率的技术。当在利用ＮＰＮＰ型的ＩＧＢＴ的反向导通半导体元件（２０）中流有回流电流（１１０）时，向二极管元件区（...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。