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MOSFET电路和电源制造技术
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文档序号:20326908
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本实用新型涉及MOSFET电路和电源。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSF...
该专利属于雅达电子国际有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过雅达电子国际有限公司授权不得商用。
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