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本发明公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本发明采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本发明在Si衬底上生长...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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