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本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置，该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向，能够使III族氮化物半导体台阶流动生长。为了实现上述目的，设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板，通式中，R表示从Sc...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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