下载半导体器件及其形成方法的技术资料

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一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括若干芯片区域和位于相邻芯片区域之间的间隔区域,所述间隔区域包括测试区域和切割区域,切割区域位于测试区域两侧,且切割区域位于测试区域和芯片区域之间;在所述半导体衬底上...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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