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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,包括器件区以及位于器件区两侧的隔离区,衬底上形成有分立的鳍部;在衬底上形成隔离结构,隔离结构顶部低于鳍部顶部;形成隔离结构后,刻蚀隔离区的鳍部;刻蚀隔离区的鳍部后,形成横跨器件区鳍部的栅极结构...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。