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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构和被所述隔离结构分割的有源区；在所述有源区上形成浮栅和位于所述浮栅之上的控制栅；在所述有源区和隔离结构之上形成层间介电层，所述层间...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。