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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构以及通过所述浅沟槽隔离结构相隔离的若干有源区，所述浅沟槽隔离结构中形成有位线空气隙，所述有源区的半导体衬底上形成有浮栅；在所述浮栅上形...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。