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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区；在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层；对所述源漏掺杂区进行预非晶化离...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。