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一种半导体装置或结构包括第一图案金属层,所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间,所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体装置或结构包括第一图案金属层,所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间,所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一...