温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种新型同质结PIN紫外探测器，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型梯度掺杂层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极；所述缓冲层设置在衬底上；N型欧姆接触层设置在缓冲层上；吸收层和N型欧姆...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。