温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件包括衬底和在衬底上形成的第一源极/漏极区。所述半导体器件还包括在第一源极/漏极区上形成的沟道以及在所述沟道上形成的第二源极/漏极区。所述半导体器件还包括在所述沟道的外表面上形成的栅电极以及在所述衬底上形成的金属焊盘。所述金属焊...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。