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本发明公开FeSx薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法，沉积方法包括步骤：将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中，沉积腔室温度设定为20~400℃，进行FeSx薄膜的沉积；沉积结束后，进行降温处理，待温度降至室温后，将包覆有FeS...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。

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