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本发明涉及一种二维光子晶体选择性辐射器及制备方法，其中包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体...
该专利属于绍兴文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴文理学院授权不得商用。

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