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本实用新型涉及半导体制造技术，具体涉及一种DFN1608高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板，在极...
该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。

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