下载一种半导体器件及其制备方法、电子装置的技术资料

文档序号:15793580

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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏;步骤S2:对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以在所述倾斜侧壁上形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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