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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供器件衬底，在器件衬底的正面形成前端器件；沉积形成层间介电层覆盖前端器件及暴露的器件衬底的正面；在层间介电层上形成图案化的掩膜层，以覆盖前端器件对应的区域，暴露前端...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。