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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有弹性体层；步骤S2：通过3D激光打印在所述弹性体层中形成碗状开口，露出所述半导体衬底；步骤S3：在所述弹性体层上和所述碗状开口中形...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。