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一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙，图形化介质膜的图形化为...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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