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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述鳍片上形成环绕所述鳍片的含氮的栅极氧化物层；步...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。