温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供晶圆，在所述晶圆上喷涂光刻胶，所述光刻胶的厚度小于目标厚度；步骤S2：在所述光刻胶上喷涂能溶解所述光刻胶的溶剂，以将表层的所述光刻胶溶解，并执行烘烤步骤，以挥发所述溶...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。