温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用，该方法包括：利用磁控溅射技术在垂直石墨烯阵列表面沉积硅改性层，得到Si@VG复合阵列结构，提高垂直石墨烯阵列与液态金属锂之间的润湿性；在200℃以上的温度下将金属锂融化，与...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。