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一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管制造技术
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文档序号:15726060
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本发明涉及半导体器件制造技术领域,具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型高电子迁移率晶体管,该型异质结场效应晶体管材料采用MOCVD或MBE设备外延生长,由在高电阻率硅衬底上依次外延生长的第...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。
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