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本发明公开了一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法，包括步骤如下：在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物薄膜，在所述透明导电氧化物层...
该专利属于钧石(中国)能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过钧石(中国)能源有限公司授权不得商用。

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