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根据各个实施例，一种装置可以包括：半导体区域；布置在半导体区域之上的金属化层；以及布置在金属化层和半导体区域之间的自组阻挡层，其中自组阻挡层可以包括配置用于从金属化层自离析的第一金属。...
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