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本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体工件。在包括第一主表面的半导体衬底中制造半导体器件，该半导体衬底包括芯片区域。制造半导体衬底的方法包括在芯片区域中在第一主表面中形成半导体器件的部件，从半导体衬底的第二主表面去除衬底材料，该第二主表面与...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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