温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种沟槽型晶体管器件结构及制作方法，该结构包括自上而下依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，以及垂直于所述源区、体区、漂移区和漏区的沟槽型栅区；其中，所述沟槽型栅区包括填充在沟槽内的多晶硅，位于所述沟槽内壁与所述多晶硅之间的栅介质层...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。