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本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法,包括步骤:提供一基片;对基片表面进行通氧气的等离子体处理;或者在基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层;在基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺;对非感光性聚酰亚胺进行两段式软烘;光刻胶涂布和软...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法,包括步骤:提供一基片;对基片表面进行通氧气的等离子体处理;或者在基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层;在基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺;对非感光性聚酰亚胺进行两段式软烘;光刻胶涂布和软...