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本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括硅片基底，硅片基底上设有氧化铝薄膜，氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。其制备方法包括抛光、沉积氧化铝薄膜、退火、沉积氮化镓薄膜、制备ITO透明...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

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