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本发明公布了一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括：一N型掺杂的砷化镓半导体层；一本征的砷化镓半导体层；一P型锑化镓半导体层；一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极；一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极；一在本征砷化镓...该专利属于东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院授权不得商用。