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本发明公开一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构，其通过特殊的设计，使其内部不存在任何寄生三极管，解决了在瞬态条件下的二次击穿或闩锁导致器件发生故障的问题，器件的坚固性得到增强。...
该专利属于廖慧仪所有，仅供学习研究参考，未经过廖慧仪授权不得商用。

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