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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构，包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管，及一颗双向高压导通保护二极管；所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之...
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