下载高密度线性电容器的技术资料

文档序号:15086937

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一种用于制造电容器结构的方法包括在半导体基板上制造多晶硅结构(PO)。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。该多晶硅结构被设置在具有MD互连的交织布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电...
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