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本发明涉及一种以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料，依以下方法制备：(1)首先对硅片进行亲水处理，在其表面生长二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(2)然后将步骤(1)中所得到的表面附有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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