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本发明涉及半导体装置以及电力转换装置。在半导体装置中抑制耐压的降低并且减少通态电阻。半导体装置具备基板、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、沟槽以及覆盖沟槽的表面的绝缘膜，第一半导体层的载流子浓度在与面方向正交的厚度方向上形成峰值，上...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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