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一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法技术
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文档序号:14935628
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本发明公开了一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法,其特征在于,首先将玻碳电极用γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅修饰,然后溶胶-凝胶印迹技术、纳米金粒子、层层自组装法和滴涂法相结合,在修饰玻碳电极表面成功地研制了一种具有特异选择性的印迹电化...
该专利属于济南大学所有,仅供学习研究参考,未经过济南大学授权不得商用。
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