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本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSF...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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