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镓酸锂衬底上的垂直结构非极性LED芯片及其制备方法技术
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文档序号:14760201
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本发明公开了镓酸锂衬底上的垂直结构非极性LED芯片及其制备方法,该方法在镓酸锂衬底上生长LED外延片,包括生长在镓酸锂衬底上的GaN缓冲层,在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,在n型掺杂GaN薄膜上的I...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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