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一种沟槽式功率晶体管结构及其制造方法，其中沟槽式功率晶体管结构包括：基材、磊晶层、沟槽栅极结构、基体区以及源极区；磊晶层位于基材上，并具有一沟槽；沟槽栅极结构位于磊晶层的沟槽中，包括底部介电结构、栅极介电层与栅极；底部介电结构位于沟槽下半部...
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